西门子电源模块6ES7 307-1EA01-0AA0
西门子电源模块6ES7 307-1EA01-0AA0
由于具有阶梯式外形设计,SIPLUS LOGO!Power 产品系列的安装深度较小,例如,可安装在小型配电柜中。具有 100 … 240 V AC (85 … 264 V) 和 110 ... 300 V DC 宽输入范围的稳压电源提供 24 V 输出电压,分为四个性能等级。24 V 型适合为带相应电压输入的 SIPLUS LOGO! PLC 供电。由于跨整个负载范围具有较高效率等级,并且空载功耗较低,因此总能耗较小。由于具有集成电流监控器(适用于至少 36 mm 宽的装置),调试和维护更方便。温度范围宽,可用于大量其它应用。
主要产品亮点
24 V DC/0.6 A、1.3 A、2.5 A 和 4.0 A
提供 18 mm、36 mm、54 mm 或 72 mm 宽的窄身单元,LOGO! 结构的总深度为 53 mm
安装灵活:顶帽 DIN 导轨安装或各种安装位置的墙壁安装
更高能源效率:在整个负载范围内效率高达 90 %,空载功耗 < 0.3 W
集成电流监视器:直接在电源装置上测量实际输出电流(适用于至少 36 mm 宽的装置)
全球使用:通过各种国际认证,如 UL、CSA、FM 或 ATEX
应用
SIPLUS LOGO! 电源在设计和功能方面与 SIPLUS LOGO! 逻辑模块佳匹配;输入范围广:85 V 至 264 V 交流,带有用于安装在内置小型配电盘中的选件,它们可以在低端性能范围以及扩展的工作温度范围(-25 至 +70 °C)中普遍使用。
从存储器卡拷贝到工作存储器。存储器复位具体完成工作如下:
删除工作存储器所有的用户数据,包括保持的数据(不包括MPI参数分配)
2硬件测试和初始化
对于使用EPROM卡的CPU,如果插入了EPROM存储器卡,且卡中存有用护程序,在存储器复位后CPU把EPROM的内容拷贝到内部工作存储
区。
S7-300系列CPU可以为各种应用提供合适的解决方案,客户只需为特定任务实际需要的性能付款S7-300建立在模块式的组态上,*1I/O模块的插
槽规则现有丰富的模块可用于集中组态和搭配ET200M实现分布式组态。集成的PROFINET接口可以实现控制器的简单网络化,与其它运行管理等级方便的进行数据交换模块宽度窄,可以实现紧凑式的模块设计或者小型控制柜。能够把强大的CPU与工业以太网/PROFINET接口、集成的工艺功能或故障防护设计集成在一起,从而避免附加投资。设计
S7-300可以实现空间节省和模块式组态。除了模块,只需要一条DIN安装轨用于固定模块并把它们旋转到位。这样就实现了坚固而且具有EMC兼
容性的设计。随用随建式的背板总线可以通过简单的插入附加的模块和总线连接器进行扩展。S7-300系列丰富的产品既可以用于集中扩展,也可用于构建带有ET 200M的分布式结构;因此实现了经济的备件控制。扩展选件如果自动化任务需要超过8个模块,S7-300的*控制器(CC)可以使用扩展装置(EU)扩展。中心架上多可以有32个模块,每个扩展装置上多8个。接口模块(IM)可以同时处理各个机架之间的通讯。如果工厂覆盖范围很宽,CC/EU还可以相互间隔较长距离安装(长10m)。在单层结构中,这可以实现256个I/O的大组态,在多层结构中多可以达到1024个I/O。在带有PROFIBUS DP的分布式组态中,可以有65536个I/O连接(多125个站点,如通过M153连接的ET200M)。插槽可自由编址,因此*插槽规则。S7-300模块种类丰富,还可以用在分布式自动化解决方案中。
与S7-300具有相同结构的ET 200M I/O系统通过接口模块不仅可以连接到PROFIBUS上还可以连接到PROFINET上
对于使用MMC卡的CPU,在存储器复位后CPU把MMC卡的内容拷贝到内部工作存储区。
﹖如果没有插入存储器卡,设定的MPI地址保持。但是,如果插入存储器卡,则装入卡内的MPI地址2诊断缓冲区的内容保持,该区的内容利用编程器可以观察到。
注意:**在CPU是停止模式时才能执行存储器复位:
2模式选择器位于“STOP”位置或
模式选择器位于“RUN-P”位置,通过菜单操作“PLC -> Operating Mode -> Stop”用把模式切换到STOP。3.3新型S7-300 CPU(使用MMC卡)的数据保持问题
1.―—存储器(M)、定时器(T)、计数器(C)的可保持性取决于是否被组态为保持,如果组态为非保持,则Stop
->Run或者Power off/on均被复
位,如果组态为保持,则Stop->Run或者Power Off/On均被保持。
2.DB始终保持,不管Stop->Run或者Power off/on.但下述过程会复位DB块的值:
掉电->拔卡->上电-→>掉电->插卡->上电
存储器对象的记忆
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